• OSG65R380DT MOSFET N-канал 11A 650V, TO-252
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 18.8 ns
Выходная емкость (Cd): 62 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm
Основные
Аналоги IPD65R250C6, IPD65R250E6, OSG65R380DF, OSG65R380DTF, OSS65R340DF, OSS70R350DF
Время задержки включения, нс (Транзисторы полевые) 5,4
Корпус (Транзисторы полевые) TO-252 DPAK
Максимальная рабочая температура (Tj), °C 150
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W 83
Максимальное напряжение Затвор-Исток (Ugs), V 30
Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V 650
Максимальный ток стока (Id), А 11
Пороговое напряжение включения Ugs(th), В 3,9
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ω 0,38
Структура N-канал
Тип транзистора (Транзисторы полевые) MOSFET

Написать отзыв

Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

OSG65R380DT MOSFET N-канал 11A 650V, TO-252

  • Модель: FR-00163014
  • Наличие: Нет в наличии
  • Магазин (брак) : 0
  • СЦ (доноры) : 0
  • Магазин (склад 1) : 0
  • Магазин (склад 3) : 0
  • Магазин (склад 2) : 0
  • Склад Хабаровская 1 : 0
  • Склад полиграфии : 0
  • Магазин (разборка) : 0
  • СЦ (мастер 2) : 0
  • СЦ (мастер 1) : 0
  • СЦ (мастер 3) : 0
  • Телемастер : 0
  • Склад Ультра : 0
  • 205р.