| Время задержки включения, нс (Транзисторы полевые) |
18 |
| Количество транзисторов (Транзисторы полевые) |
1 |
| Корпус (Транзисторы полевые) |
DFN8 |
| Максимальная рабочая температура (Tj), °C |
150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W |
156 |
| Максимальное напряжение Затвор-Исток (Ugs), V |
12 |
| Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V |
-20 |
| Максимальный ток стока (Id), А |
-85 |
| Пороговое напряжение включения Ugs(th), В |
1,3 |
| Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ω |
0,0021 |
| Структура |
P-канал |
| Тип транзистора (Транзисторы полевые) |
MOSFET |
